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G3VM-21PR□ MOS FET继电器 USOP 低端子间电容&低导通电阻型（低C×R）
USOP封装、实现低C×R的MOS FET继电器
●负载电压 20V
●G3VM-21PR10：低C×R=2.4pF • Ω、COFF（标准）=0.8pF、RON（标准）=3Ω
●G3VM-21PR1：低C×R=3pF • Ω、COFF（标准）=5pF、RON（标准）=0.6Ω
●G3VM-21PR11：低C×R=7.2pF • -
G3VM-□AY□ / □DY□ MOS FET继电器 DIP4针 小型&高绝缘型
小型DIP4针封装、实现输入输出间耐电压AC5,000V
●负载电压 40V/60V/200V/350V/400V/600V
●可承受高达 110°C 温度的高温 MOS-FET 继电器系列
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G3VM-□AR / □DR MOS FET继电器 DIP4针 高容量&低导通电阻型
小型DIP4针封装，实现与机械式继电器相当的低导通电阻、高容量开关的MOS FET继电器
●负载电压 20V/30V/40V/60V/100V/200V
●20V产品：连续负载电流 3A（最大）
●30V产品：连续负载电流4A（最大）
●40V产品：连续负载电流 2.5A（最 -
G3VM-353A/D/B/E MOS FET继电器 DIP通用型
DIP封装通用MOS FET继电器
●形状 DIP4针/DIP6针
●接点结构 1b（SPST-NC）
●负载电压 350V
