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产品介绍
G3VM-353A/D/B/E MOS FET继电器 DIP通用型
DIP封装通用MOS FET继电器
●形状 DIP4针/DIP6针
●接点结构 1b（SPST-NC）
●负载电压 350V
规格参数
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DIP封装通用MOS FET继电器
●形状 DIP4针/DIP6针
●接点结构 1b（SPST-NC）
●负载电压 350V
微信号：Gaochip-Leo
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